Los nuevos chips de memoria flash tendrán mayor capacidad

C&T
martes, 6 de septiembre de 2011 · 00:00
Necesitamos más espacio de almacenamiento. A medida que las cámaras disponibles en nuestros teléfonos móviles aumentan su resolución, y que los vídeos que compartimos cada día ocupan más espacio, la memoria interna de nuestros gadgets o la capacidad de nuestras memorias USB debe incrementarse proporcionalmente. La tecnología actual esté llegando a sus límites, y los investigadores están comenzando a experimentar con un nuevo tipo de memorias flash que utilizan grafeno junto al tradicional silicio para almacenar información. Mientras que las celdas de memoria tradicionales comienzan a ser inestables al alcanzar los 22 nanómetros, las basadas en la tecnología “híbrida” silico-grafeno podrían ser miniaturizadas hasta llegar a los 10 Nm. La industria informática duplica el tamaño de los dispositivos de almacenamiento de los ordenadores cada 2 años aproximadamente. Esto es válido tanto para discos duros como para la memoria RAM o la capacidad de las memorias flash. Y es en este ultimo segmento donde se están produciendo los avances más interesantes. Las memorias flash son las que hacen posible artefactos como el iPhone, pendrives o los discos duros de estado sólido que tarde o temprano reemplazarán a los que hoy utilizamos. Cualquiera sabe que la capacidad de cualquiera de estos dispositivos ha aumentado constantemente desde que fueron introducidos en el mercado, pero no podrán hacerlo indefinidamente. Cada bit de información se almacena en una pequeña celda compuestas por un puñado de componentes electrónicos, y eso requiere de un cierto espacio. Utilizando silicio podemos reducir el tamaño de dichos componentes hasta alcanzar los 22 nanómetros. Más allá de eso, las celdas de memoria comienzan a ser inestables. Pero existen otros materiales, entre los que se destaca el grafeno, que permitirán ir bastante más allá, posibilitando memorias con celdas tan pequeñas como 10 nanómetros sin padecer ese problema.

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